SO642中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SO642引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SO642
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SO642 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOT-23 NPN 300V 100mA | 当前型号 | 小信号NPN晶体管 SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： MMBTA42 品牌： 意法半导体 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA 350mW | 类似代替 | STMICROELECTRONICS MMBTA42 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE | SO642和MMBTA42的区别 |
| 型号： MMBTA42LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA42LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE | SO642和MMBTA42LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA42-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 NPN 300V 200mA 300mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R | SO642和MMBTA42-7-F的区别 |