STBV32G-AP中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 5 @1A, 2V
额定功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STBV32G-AP引脚图与封装图
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在线购买STBV32G-AP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STBV32G-AP | ST Microelectronics 意法半导体 | TO-92 NPN 400V 1.5A | 搜索库存 |
替代型号STBV32G-AP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STBV32G-AP 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-92 NPN | 当前型号 | TO-92 NPN 400V 1.5A | 当前型号 |
| 型号： STBV32-AP 品牌： 意法半导体 封装： TO-92 NPN 1500mW | 完全替代 | 高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | STBV32G-AP和STBV32-AP的区别 |
| 型号： STBV32 品牌： 意法半导体 封装： | 类似代替 | 高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | STBV32G-AP和STBV32的区别 |