SM8A27THE3/I中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 27 V
耗散功率 8 W
钳位电压 40 V
脉冲峰值功率 6600 W
最小反向击穿电压 24 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-218AC-2
外形尺寸
封装 DO-218AC-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SM8A27THE3/I引脚图与封装图
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在线购买SM8A27THE3/I
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SM8A27THE3/I | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 22V 6.6kW Automotive 2Pin DO-218 T/R | 搜索库存 |
替代型号SM8A27THE3/I
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SM8A27THE3/I 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-218AB | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 22V 6.6kW Automotive 2Pin DO-218 T/R | 当前型号 |
| 型号： SM8A27HE3/2D 品牌： 威世 封装： DO-218AB | 功能相似 | PAR® 瞬态电压抑制器表面安装单向 6600W，SM8A 和 SM8S 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | SM8A27THE3/I和SM8A27HE3/2D的区别 |
| 型号： SM8A27-E3/2D 品牌： 威世 封装： DO-218AB | 功能相似 | VISHAY SM8A27-E3/2D TVS Diode, SM8A27 Series, 22V, 40V, DO-218AB, 2Pins | SM8A27THE3/I和SM8A27-E3/2D的区别 |