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S12KR
GeneSiC Semiconductor 分立器件

整流器 800V 12A REV Leads Std. Recovery

标准型,反极性 800 V 12A 底座,接线柱安装 DO-4


得捷:
DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4


贸泽:
整流器 800V 12A REV Leads Std. Recovery


艾睿:
Diode Switching 800V 12A 2-Pin DO-4


AMEYA360:
DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4


Electro Sonic:
Standard Recovery - 800 V - 12 A - DO-4


S12KR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @12A

正向电压Max 1.1V @12A

封装参数

封装 DO-203AA

外形尺寸

封装 DO-203AA

物理参数

工作温度 144 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

S12KR引脚图与封装图
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