STI15NM60ND中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 14A
输入电容Ciss 1250pF @50VVds
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI15NM60ND引脚图与封装图
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在线购买STI15NM60ND
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI15NM60ND | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 | 搜索库存 |
替代型号STI15NM60ND
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STI15NM60ND 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： I2PAK N-CH 600V 14A | 当前型号 | N沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 | 当前型号 |
| 型号： STI15NM60N 品牌： 意法半导体 封装： TO-262-3 | 类似代替 | N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | STI15NM60ND和STI15NM60N的区别 |
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