STB30NM50N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2740pF @50VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STB30NM50N引脚图与封装图
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STB30NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | D2PAK N-CH 500V 27A | 搜索库存 |