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STB50N25M5

STB50N25M5

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


得捷:
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB50N25M5, 28 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
250V,28A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK


STB50N25M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.055 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 1700pF @50VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB50N25M5引脚图与封装图
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在线购买STB50N25M5
型号 制造商 描述 购买
STB50N25M5 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STB50N25M5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB50N25M5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-263-3 N-Channel 14A

当前型号

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: STB13NM60N

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 650V 11A

类似代替

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

STB50N25M5和STB13NM60N的区别

型号: STB120N4F6

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-CH 40V 80A

类似代替

N 通道 STripFET™ F6,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STB50N25M5和STB120N4F6的区别

型号: STB80N20M5

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-CH 200V 61A

类似代替

200V,0.019Ω,65A,N沟道功率MOSFET

STB50N25M5和STB80N20M5的区别