SKW30N60HSFKSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole PG-TO247-3

得捷:
IGBT 600V 41A 250W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin3+Tab TO-247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 600V 41A 250W TO247-3

SKW30N60HSFKSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 125 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SKW30N60HSFKSA1引脚图与封装图

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