SPW20N60S5FKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 208 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 | 搜索库存 |