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SMCJ26CAHE3/9AT

SMCJ26CAHE3/9AT

数据手册.pdf

Diode TVS Single Bi-Dir 26V 1.5kW 2Pin SMC T/R

42.1V Clamp 35.6A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AB SMCJ


得捷:
TVS DIODE 26V 42.1V DO214AB


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 26V 1.5KW Automotive 2-Pin SMC T/R


安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 26V 1.5KW 2-Pin SMC T/R


SMCJ26CAHE3/9AT中文资料参数规格
技术参数

工作电压 26 V

击穿电压 28.9 V

钳位电压 42.1 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 28.9 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

长度 7.11 mm

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

SMCJ26CAHE3/9AT引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMCJ26CAHE3/9AT Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 26V 1.5kW 2Pin SMC T/R 搜索库存
替代型号SMCJ26CAHE3/9AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMCJ26CAHE3/9AT

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AB

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 26V 1.5kW 2Pin SMC T/R

当前型号

型号: SMCJ26CA-E3/57T

品牌: 威世

封装: SMC

完全替代

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装双向 1500W,SMCJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

SMCJ26CAHE3/9AT和SMCJ26CA-E3/57T的区别

型号: SMCJ26CA-E3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 26V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ26CAHE3/9AT和SMCJ26CA-E3/9AT的区别

型号: SMCJ26CA-M3/9AT

品牌: 威世

封装:

完全替代

ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5kW,26V 5%,BIDIR,SMC TVS

SMCJ26CAHE3/9AT和SMCJ26CA-M3/9AT的区别