SMCJ75CAHE3/57T中文资料参数规格
技术参数
工作电压 75 V
击穿电压 83.3 V
钳位电压 121 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 83.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJ75CAHE3/57T引脚图与封装图
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在线购买SMCJ75CAHE3/57T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJ75CAHE3/57T | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 75V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 搜索库存 |
替代型号SMCJ75CAHE3/57T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJ75CAHE3/57T 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AB | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 75V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 当前型号 |
| 型号： SMCJ75CA-E3/57T 品牌： 威世 封装： SMC | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 75V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ75CAHE3/57T和SMCJ75CA-E3/57T的区别 |
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| 型号： SMCJ75CHE3/57T 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | TVS 1.5kW BIDIR 75V 10% SMC | SMCJ75CAHE3/57T和SMCJ75CHE3/57T的区别 |