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SPB20N60C3ATMA1

SPB20N60C3ATMA1

数据手册.pdf

INFINEON  SPB20N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB20N60C3ATMA1, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin2+Tab TO-263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  SPB20N60C3ATMA1  Power MOSFET, N Channel, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V


SPB20N60C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.7 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

输入电容 4.50 nF

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 11.05 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, 通信与网络, 工业, Communications & , Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, , Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPB20N60C3ATMA1引脚图与封装图
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