SMCG30A-M3/9AT中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 33.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-215AB
外形尺寸
封装 DO-215AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SMCG30A-M3/9AT引脚图与封装图
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在线购买SMCG30A-M3/9AT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCG30A-M3/9AT | Vishay Semiconductor 威世 | 1.5kW,30V 5%,UNIDIR,SMC TVS | 搜索库存 |
替代型号SMCG30A-M3/9AT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCG30A-M3/9AT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | 1.5kW,30V 5%,UNIDIR,SMC TVS | 当前型号 |
| 型号： SMCG30A-E3/57T 品牌： 威世 封装： DO-215AB | 完全替代 | TVS 1.5kW UNIDIR 30V 5% SMC | SMCG30A-M3/9AT和SMCG30A-E3/57T的区别 |
| 型号： SMCG30A-E3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-215AB | 完全替代 | TVS 1.5kW UNIDIR 30V 5% SMC | SMCG30A-M3/9AT和SMCG30A-E3/9AT的区别 |
| 型号： SMCG30AHE3/57T 品牌： 威世 封装： DO-215AB | 完全替代 | TVS 1.5kW UNIDIR 30V 5% SMC | SMCG30A-M3/9AT和SMCG30AHE3/57T的区别 |