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SMCJ30CAHE3/57T

SMCJ30CAHE3/57T

数据手册.pdf
SMCJ30CAHE3/57T中文资料参数规格
技术参数

工作电压 30 V

击穿电压 33.3 V

耗散功率 1.5 kW

钳位电压 48.4 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 33.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMCJ30CAHE3/57T引脚图与封装图
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在线购买SMCJ30CAHE3/57T
型号 制造商 描述 购买
SMCJ30CAHE3/57T Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 30V 1.5kW 2Pin SMC T/R 搜索库存
替代型号SMCJ30CAHE3/57T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMCJ30CAHE3/57T

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AB

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 30V 1.5kW 2Pin SMC T/R

当前型号

型号: SMCJ30CAHE3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 30V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ30CAHE3/57T和SMCJ30CAHE3/9AT的区别

型号: SMCJ30CA-M3/9AT

品牌: 威世

封装:

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 30V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ30CAHE3/57T和SMCJ30CA-M3/9AT的区别

型号: SMCJ30CA-E3/57T

品牌: 威世

封装: DO-214AB

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