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SPW11N60C3FKSA1

SPW11N60C3FKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3FKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3FKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


SPW11N60C3FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 11.0 A

极性 N-CH

耗散功率 125 W

输入电容 1.20 nF

栅电荷 60.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPW11N60C3FKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPW11N60C3FKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3FKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装 搜索库存