SPW11N60C3FKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
极性 N-CH
耗散功率 125 W
输入电容 1.20 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPW11N60C3FKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3FKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装 | 搜索库存 |