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SMBG85AHE3/5B
SMBG85AHE3/5B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 85 V

击穿电压 94.4 V

钳位电压 137 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 94.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-215AA-2

外形尺寸

封装 DO-215AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMBG85AHE3/5B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMBG85AHE3/5B Vishay Semiconductor 威世 ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 85V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified 搜索库存
替代型号SMBG85AHE3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBG85AHE3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-215AA

当前型号

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 85V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

当前型号

型号: SMBG85A-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-215AA

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