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SPP20N60S5XKSA1

SPP20N60S5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Summary of Features:

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Innovative high voltage technology
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Worldwide best R DSon in TO-251 and TO-252
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Ultra low gate charge
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Periodic avalanche rated
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Extreme dv/dt rated
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Ultra low effective capacitances
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Improved transconductance
SPP20N60S5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208 W

输入电容 3000 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPP20N60S5XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPP20N60S5XKSA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存