SMBG10AHE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 10 V
击穿电压 11.1 V
耗散功率 600 W
钳位电压 17 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 11.1 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-215AA
外形尺寸
封装 DO-215AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBG10AHE3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBG10AHE3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBG10AHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS UNIDIR 600W 10V 5% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBG10AHE3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBG10AHE3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-215AA | 当前型号 | TVS UNIDIR 600W 10V 5% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMBG10A-M3/52 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 10V 600W 2Pin SMBG T/R | SMBG10AHE3/5B和SMBG10A-M3/52的区别 |
| 型号： SMBG10A-E3/52 品牌： 威世 封装： DO-215AA | 类似代替 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W，SMBG 系列，Vishay Semiconductor薄型 DO-215AA SMBG 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | SMBG10AHE3/5B和SMBG10A-E3/52的区别 |
| 型号： SMBG10HE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-215AA | 功能相似 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBG10AHE3 | SMBG10AHE3/5B和SMBG10HE3/5B的区别 |