![SMBG8.0AHE3/52](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_338/chanpintu/smbg80ahe352-lKnBQebV-Aq9VzYEmo.png)
工作电压 8 V
击穿电压 8.89 V
耗散功率 600 W
钳位电压 13.6 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 8.89 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 DO-215AA
封装 DO-215AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMBG8.0AHE3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | TVS UNIDIR 600W 8V 5% SMB | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMBG8.0AHE3/52 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-215AA | 当前型号 | TVS UNIDIR 600W 8V 5% SMB | 当前型号 | |
型号: SMBG8.0A-E3/5B 品牌: 威世 封装: DO-215AA | 完全替代 | TVS UNIDIR 600W 8V 5% SMB | SMBG8.0AHE3/52和SMBG8.0A-E3/5B的区别 | |
型号: SMBG8.0A-M3/52 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 8V 600W 2Pin SMBG T/R | SMBG8.0AHE3/52和SMBG8.0A-M3/52的区别 | |
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