SD5491-002
数据手册.pdfHoneywell(霍尼韦尔)
探测器
SD5491-002中文资料参数规格
技术参数
峰值波长 935 nm
耗散功率 150 mW
下降时间Max 2000 ns
上升时间Max 2000 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
高度 5.97 mm
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
海关信息
HTS代码 8541407080
SD5491-002引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SD5491-002 | Honeywell 霍尼韦尔 | Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3Pin TO-18 | 搜索库存 |