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SMCJ17AHE3/9AT

SMCJ17AHE3/9AT

数据手册.pdf
SMCJ17AHE3/9AT中文资料参数规格
技术参数

工作电压 17 V

击穿电压 18.9 V

钳位电压 27.6 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 18.9 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

SMCJ17AHE3/9AT引脚图与封装图
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在线购买SMCJ17AHE3/9AT
型号 制造商 描述 购买
SMCJ17AHE3/9AT Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 17V 1.5kW 2Pin SMC T/R 搜索库存
替代型号SMCJ17AHE3/9AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMCJ17AHE3/9AT

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 17V 1.5kW 2Pin SMC T/R

当前型号

型号: SMCJ17A-E3/57T

品牌: 威世

封装: DO-214AB

完全替代

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 1500W,SMCJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

SMCJ17AHE3/9AT和SMCJ17A-E3/57T的区别

型号: SMCJ17A-M3/57T

品牌: 威世

封装:

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 17V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ17AHE3/9AT和SMCJ17A-M3/57T的区别

型号: SMCJ17A-M3/9AT

品牌: 威世

封装:

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 17V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ17AHE3/9AT和SMCJ17A-M3/9AT的区别