工作电压 6.5 V
击穿电压 7.22 V
钳位电压 11.2 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 7.22 V
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
封装 DO-214AB
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMCJ6.5AHE3/57T | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMCJ6.5AHE3/57T 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 当前型号 | |
型号: SMCJ6.5A-E3/9AT 品牌: 威世 封装: DO-214AB | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ6.5AHE3/57T和SMCJ6.5A-E3/9AT的区别 | |
型号: SMCJ6.5A-M3/57T 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5kW,6.5V 5%,UNIDIR,SMC TVS | SMCJ6.5AHE3/57T和SMCJ6.5A-M3/57T的区别 | |
型号: SMCJ6.5A-E3/57T 品牌: 威世 封装: DO-214AB | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 6.5V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ6.5AHE3/57T和SMCJ6.5A-E3/57T的区别 |