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SGB07N120ATMA1

SGB07N120ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 16.5A 3Pin TO-263 T/R

Summary of Features:

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30% lower E off compared to previous generation
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Short circuit withstand time – 10μs
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Designed for operation above 30kHz
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High ruggedness, temperature stable behaviour
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Pb-free lead plating; RoHS compliant
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Qualified according to JEDEC for target applications

Target Applications:

offers a comprehensive IGBT portfolio for the general purpose inverters, solar inverters, UPS, induction heating, microwave oven, rice cookers,  welding and SMPS segments.

SGB07N120ATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

SGB07N120ATMA1引脚图与封装图
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SGB07N120ATMA1 Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 16.5A 3Pin TO-263 T/R 搜索库存