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SD1440-001

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Phototransistor Chip Silicon 2Pin Metal Can

935nm 顶视图 同轴，金属罐


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SD1440-001中文资料参数规格
技术参数

波长 935 nm

视角 24°

耗散功率 75 mW

上升时间 15000 ns

击穿电压集电极-发射极 30 V

击穿电压 50 V

额定功率Max 75 mW

下降时间 15 µs

下降时间Max 15000 ns

上升时间Max 15000 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-99

外形尺寸

长度 2.41 mm

宽度 2.41 mm

高度 3.1 mm

封装 TO-99

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A001.a.2.c

HTS代码 8541407080

SD1440-001引脚图与封装图
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