SPI11N60C3XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPI11N60C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SPI11N60C3XKSA1引脚图与封装图
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在线购买SPI11N60C3XKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPI11N60C3XKSA1 | Infineon 英飞凌 | N沟道 650V 11A | 搜索库存 |
替代型号SPI11N60C3XKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPI11N60C3XKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 600V 11A | 当前型号 | N沟道 650V 11A | 当前型号 |
| 型号： SPI11N60C3HKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 600V 11A | 类似代替 | TO-262 N-CH 600V 11A | SPI11N60C3XKSA1和SPI11N60C3HKSA1的区别 |