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SM15T6V8AHE3/9AT

SM15T6V8AHE3/9AT

数据手册.pdf

Diode TVS Single Uni-Dir 5.8V 1.5kW 2Pin SMC T/R

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Available in uni-directional and bi-directional

• 1500 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform

• Excellent clamping capability

• Low inductance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

  Use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer, computer, industrial, automotive, and telecommunication.

SM15T6V8AHE3/9AT中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 13.4 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 6.45 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SM15T6V8AHE3/9AT引脚图与封装图
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SM15T6V8AHE3/9AT Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 5.8V 1.5kW 2Pin SMC T/R 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SM15T6V8AHE3/9AT

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 5.8V 1.5kW 2Pin SMC T/R

当前型号

型号: SM15T6V8A-E3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 5.8V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SM15T6V8AHE3/9AT和SM15T6V8A-E3/9AT的区别

型号: SM15T6V8AHE3/57T

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

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品牌: 威世

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