工作电压 33 V
击穿电压 36.7 V
钳位电压 53.3 V
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 36.7 V
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
封装 DO-214AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SMB10J33AHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 1kW 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SMB10J33AHE3/5B 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 1kW 2Pin SMB T/R | 当前型号 | |
型号: SMB10J33A-E3/52 品牌: 威世 封装: DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 1kW 2Pin SMB T/R | SMB10J33AHE3/5B和SMB10J33A-E3/52的区别 | |
型号: SMB10J33A-M3/52 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 1kW 2Pin SMB T/R | SMB10J33AHE3/5B和SMB10J33A-M3/52的区别 | |
型号: SMB10J33HE3/5B 品牌: 威世 封装: DO-214 | 类似代替 | TVS UNIDIR 1kW 33V 10% SMB | SMB10J33AHE3/5B和SMB10J33HE3/5B的区别 |