SMB10J8.5AHE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 8.5 V
击穿电压 9.44 V
钳位电压 14.4 V
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 9.44 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMB10J8.5AHE3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMB10J8.5AHE3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMB10J8.5AHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 8.5V 1kW 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
替代型号SMB10J8.5AHE3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMB10J8.5AHE3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 8.5V 1kW 2Pin SMB T/R | 当前型号 |
| 型号： SMB10J8.5A-E3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1000W 8.5V 5% Uni | SMB10J8.5AHE3/5B和SMB10J8.5A-E3/5B的区别 |
| 型号： SMB10J8.5HE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | TVS UNIDIR 1kW 8.5V 10% SMB | SMB10J8.5AHE3/5B和SMB10J8.5HE3/5B的区别 |