SQD50P06-15L_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0135 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 136 W
上升时间 12 ns
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SQD50P06-15L_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD50P06-15L_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Single P-Channel 60V 0.032Ω 150NC 136W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 | 搜索库存 |