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SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

数据手册.pdf
SQD50P06-15L_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0135 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 136 W

上升时间 12 ns

下降时间 39 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

SQD50P06-15L_GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SQD50P06-15L_GE3 Vishay Semiconductor 威世 Single P-Channel 60V 0.032Ω 150NC 136W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 搜索库存