
STF5NK52ZD中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 25W Tc
漏源极电压Vds 520 V
连续漏极电流Ids 4.4A
输入电容Ciss 529pF @25VVds
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF5NK52ZD引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STF5NK52ZD | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道520 V, 1.22 I© , 4.4 A, TO- 220 , IPAK , I2PAK , DPAK , TO- 220FP齐纳保护SuperMESHâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 520 V,1.22 Ω,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH⢠Power MOSFET | 搜索库存 |