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SDP8405-015

SDP8405-015

数据手册.pdf

硅光电晶体管 Silicon Phototransistor

880nm 顶视图 径向


得捷:
SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD


贸泽:
Phototransistors 20 deg, 1.25 mA, T1 15us Rise and Fall


艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1


Allied Electronics:
Infrared Sensors


Powell:
Sensors, Infrared Sensors, Emitter


Electro Sonic:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1


SDP8405-015中文资料参数规格
技术参数

波长 880 nm

视角 20°

峰值波长 935 nm

耗散功率 70 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 70 mW

下降时间 15 µs

下降时间Max 15000 ns

上升时间Max 15000 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 70 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

长度 3.94 mm

宽度 3.94 mm

高度 6.35 mm

封装 T-1

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SDP8405-015引脚图与封装图
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