SDP8405-015
数据手册.pdfHoneywell(霍尼韦尔)
探测器
波长 880 nm
视角 20°
峰值波长 935 nm
耗散功率 70 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 70 mW
下降时间 15 µs
下降时间Max 15000 ns
上升时间Max 15000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 70 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 3.94 mm
宽度 3.94 mm
高度 6.35 mm
封装 T-1
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SDP8405-015 | Honeywell 霍尼韦尔 | 硅光电晶体管 Silicon Phototransistor | 搜索库存 |