
额定电压DC 560 V
额定电流 16.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 消费电子产品, Consumer Electronics, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPA16N50C3XKSA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPA16N50C3XKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPA16N50C3XKSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220FP N-Channel 560V 16A | 当前型号 | INFINEON SPA16N50C3XKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 | |
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型号: SIHF15N60E-GE3 品牌: 威世 封装: TO-220FP N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIHF15N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V | SPA16N50C3XKSA1和SIHF15N60E-GE3的区别 | |
型号: SIHF15N60E-E3 品牌: 威世 封装: TO-220FP N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIHF15N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V | SPA16N50C3XKSA1和SIHF15N60E-E3的区别 |