SPP16N50C3HKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPP16N50C3HKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 160W Tc
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 16A
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3-1
外形尺寸
封装 TO-220-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPP16N50C3HKSA1引脚图与封装图
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在线购买SPP16N50C3HKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPP16N50C3HKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-220AB N-CH 560V 16A | 搜索库存 |
替代型号SPP16N50C3HKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPP16N50C3HKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220AB N-CH 560V 16A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 560V 16A | 当前型号 |
| 型号： SPP16N50C3XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-CH 560V 16A | 功能相似 | Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP16N50C3XKSA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装 | SPP16N50C3HKSA1和SPP16N50C3XKSA1的区别 |