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SMBJ33CA-M3/5B

SMBJ33CA-M3/5B

数据手册.pdf
SMBJ33CA-M3/5B中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 36.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SMBJ33CA-M3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ33CA-M3/5B
型号 制造商 描述 购买
SMBJ33CA-M3/5B Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 33V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号SMBJ33CA-M3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ33CA-M3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AA

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 33V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: SMBJ33CA-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

VISHAY  SMBJ33CA-E3/52  二极管, TVS, VRWM:33V

SMBJ33CA-M3/5B和SMBJ33CA-E3/52的区别

型号: SMBJ33CA-E3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 33V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ33CA-M3/5B和SMBJ33CA-E3/5B的区别

型号: SMBJ33CA

品牌: 威世

封装:

完全替代

ESD抑制器/TVS二晶體 33V 800W Bidir TransZorb 5% Tol

SMBJ33CA-M3/5B和SMBJ33CA的区别