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SZ1SMB33CAT3G

SZ1SMB33CAT3G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

Clamp Ipp Tvs Diode


得捷:
SZ1SMB33CAT3G - ZEN SMB TVS CLP


欧时:
### 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 33V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


Allied Electronics:
SZ1SMB33CAT3G, Bi-Directional TVS Diode, 600W, 2-Pin SMB


安富利:
The SMB series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients. They have excellent clamping capability, high surge capability, low zener impedance and fast response time. The SMB series is supplied in ON Semiconductor"s exclusive, cost-effective, highly reliable SURMETIC® package and is ideally suited for use in communication systems, numerical controls, process controls, medical equipment, business machines, power supplies and many other industrial/consumer applications.


富昌:
SMB Series 600 W 33 V Bi-Directional Surface Mount Zener TVS Diode-SMBDO-214AA


Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 33V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R


SZ1SMB33CAT3G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 33 V

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 38.63 V

钳位电压 53.3 V

最大反向电压(Vrrm) 33V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 36.7 V

击穿电压 36.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMB

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.81 mm

高度 2.41 mm

封装 SMB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SZ1SMB33CAT3G引脚图与封装图
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在线购买SZ1SMB33CAT3G
型号 制造商 描述 购买
SZ1SMB33CAT3G ON Semiconductor 安森美 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向) ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号SZ1SMB33CAT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SZ1SMB33CAT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SMB

当前型号

600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: SMBJ30CA

品牌: 力特

封装: DO-214AA 30V 600W

功能相似

LITTELFUSE  SMBJ30CA  TVS二极管, TVS, SMBJ系列, 双向, 30 V, 48.4 V, DO-214AA, 2 引脚

SZ1SMB33CAT3G和SMBJ30CA的区别

型号: SMBJ33CA

品牌: 力特

封装: DO-214 33V 600W

功能相似

LITTELFUSE  SMBJ33CA  二极管, TVS, 600W, 33V, DO-214AA, 整卷

SZ1SMB33CAT3G和SMBJ33CA的区别

型号: P6SMB36CA

品牌: 力特

封装: SMB

功能相似

LITTELFUSE  P6SMB36CA  TVS二极管, TVS, P6SMB系列, 双向, 30.8 V, 49.9 V, DO-214AA, 2 引脚

SZ1SMB33CAT3G和P6SMB36CA的区别