SMB8J20CAHE3/52中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 22.2 V
钳位电压 32.4 V
脉冲峰值功率 800 W
最小反向击穿电压 22.2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMB8J20CAHE3/52引脚图与封装图
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在线购买SMB8J20CAHE3/52
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMB8J20CAHE3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 20V 800W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
替代型号SMB8J20CAHE3/52
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMB8J20CAHE3/52 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 20V 800W 2Pin SMB T/R | 当前型号 | |
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