SMB8J33CAHE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 33 V
击穿电压 36.7 V
钳位电压 53.3 V
脉冲峰值功率 800 W
最小反向击穿电压 36.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMB8J33CAHE3/5B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMB8J33CAHE3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMB8J33CAHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 800W 33V 5% Bidir AEC-Q101 Qualified | 搜索库存 |
替代型号SMB8J33CAHE3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMB8J33CAHE3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 800W 33V 5% Bidir AEC-Q101 Qualified | 当前型号 |
| 型号： SMB8J33CA-M3/52 品牌： 威世 封装： DO-214AA-2 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 800W,33V 5%,BIDIR,SMB TVS | SMB8J33CAHE3/5B和SMB8J33CA-M3/52的区别 |
| 型号： SMB8J33CAHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 33V 800W 2Pin SMB T/R | SMB8J33CAHE3/5B和SMB8J33CAHE3/52的区别 |
| 型号： SMB8J33CHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | TVS BIDIR 800W 33V 10% SMB | SMB8J33CAHE3/5B和SMB8J33CHE3/5B的区别 |