SMBJ110A-E3/5B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 135 V
钳位电压 177 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 122 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
宽度 3.94 mm
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ110A-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ110A-E3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ110A-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
替代型号SMBJ110A-E3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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