SZP6SMB30CAT3G
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ON Semiconductor
安森美
主动器件
SZP6SMB30CAT3G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 30 V
钳位电压 41.4 V
最大反向电压（Vrrm） 25.6V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 28.5 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.28 mm
封装 SMB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SZP6SMB30CAT3G引脚图与封装图
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在线购买SZP6SMB30CAT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZP6SMB30CAT3G | ON Semiconductor 安森美 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SZP6SMB30CAT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SZP6SMB30CAT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMB | 当前型号 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： P6SMB30CAT3G 品牌： 安森美 封装： SMB | 功能相似 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | SZP6SMB30CAT3G和P6SMB30CAT3G的区别 |