SMB8J30CA-M3/5B中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 800 W
最小反向击穿电压 33.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
SMB8J30CA-M3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMB8J30CA-M3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMB8J30CA-M3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 800W,30V 5%,BIDIR,SMB TVS | 搜索库存 |
替代型号SMB8J30CA-M3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SMB8J30CA-M3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AA-2 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 800W,30V 5%,BIDIR,SMB TVS | 当前型号 |
| 型号： SMB8J30CA-E3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 30V 800W 2Pin SMB T/R | SMB8J30CA-M3/5B和SMB8J30CA-E3/52的区别 |
| 型号： SMB8J30CAHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 30V 800W 2Pin SMB T/R | SMB8J30CA-M3/5B和SMB8J30CAHE3/52的区别 |