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SMB8J7.0CA-E3/5B

SMB8J7.0CA-E3/5B

数据手册.pdf
SMB8J7.0CA-E3/5B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 7 V

击穿电压 7.78 V

钳位电压 12 V

脉冲峰值功率 800 W

最小反向击穿电压 7.78 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMB8J7.0CA-E3/5B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMB8J7.0CA-E3/5B Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 7V 800W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号SMB8J7.0CA-E3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMB8J7.0CA-E3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 7V 800W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: SMB8J7.0CAHE3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 7V 800W 2Pin SMB T/R

SMB8J7.0CA-E3/5B和SMB8J7.0CAHE3/5B的区别

型号: SMB8J7.0CAHE3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 7V 800W 2Pin SMB T/R

SMB8J7.0CA-E3/5B和SMB8J7.0CAHE3/52的区别

型号: SMB8J7.0C-E3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

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