SMB8J10CA-E3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 10 V
击穿电压 11.1 V
钳位电压 17 V
脉冲峰值功率 800 W
最小反向击穿电压 11.1 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SMB8J10CA-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMB8J10CA-E3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMB8J10CA-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 10V 800W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
替代型号SMB8J10CA-E3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMB8J10CA-E3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 10V 800W 2Pin SMB T/R | 当前型号 |
| 型号： SMB8J10CAHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 10V 800W 2Pin SMB T/R | SMB8J10CA-E3/5B和SMB8J10CAHE3/52的区别 |
| 型号： SMB8J10C-E3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 功能相似 | ESD 抑制器/TVS 二极管 800W 10V 10% Bidir | SMB8J10CA-E3/5B和SMB8J10C-E3/5B的区别 |