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SMBJ150CAHE3/5B

SMBJ150CAHE3/5B

数据手册.pdf
SMBJ150CAHE3/5B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 150 V

击穿电压 167 V

耗散功率 1 W

钳位电压 243 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 167 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMBJ150CAHE3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ150CAHE3/5B
型号 制造商 描述 购买
SMBJ150CAHE3/5B Vishay Semiconductor 威世 ESD 抑制器/TVS 二极管 150V 800W Bidir TransZorb 5% Tol 搜索库存
替代型号SMBJ150CAHE3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ150CAHE3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

ESD 抑制器/TVS 二极管 150V 800W Bidir TransZorb 5% Tol

当前型号

型号: SMBJ150CA-M3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 150V 800W Bidir TransZorb 5% Tol

SMBJ150CAHE3/5B和SMBJ150CA-M3/5B的区别

型号: SMBJ150CA/2

品牌: 威世

封装:

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ150CA-E3

SMBJ150CAHE3/5B和SMBJ150CA/2的区别

型号: SMBJ150CA-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

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TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

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