SMBJ10A/2
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
电子元器件分类
SMBJ10A/2中文资料参数规格
技术参数
工作电压 10 V
击穿电压 12.3 V
耗散功率 1 W
钳位电压 17 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
SMBJ10A/2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ10A/2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ10A/2 | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ10A-E3/5B | 搜索库存 |
替代型号SMBJ10A/2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ10A/2 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ10A-E3/5B | 当前型号 |
| 型号： SMBJ10AHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 10V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | SMBJ10A/2和SMBJ10AHE3/52的区别 |
| 型号： SMBJ10AHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 10V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ10A/2和SMBJ10AHE3/5B的区别 |