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SMBJ28CAHE3/52

SMBJ28CAHE3/52

数据手册.pdf
SMBJ28CAHE3/52中文资料参数规格
技术参数

工作电压 28 V

击穿电压 31.1 V

钳位电压 45.4 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 31.1 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMBJ28CAHE3/52引脚图与封装图
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在线购买SMBJ28CAHE3/52
型号 制造商 描述 购买
SMBJ28CAHE3/52 Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 28V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号SMBJ28CAHE3/52
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ28CAHE3/52

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 28V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: SMBJ28CA-E3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 28V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ28CAHE3/52和SMBJ28CA-E3/5B的区别

型号: SMBJ28CA-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

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型号: SMBJ28CHE3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

类似代替

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