SPI07N60S5HKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPI07N60S5HKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.3A
输入电容Ciss 970pF @25VVds
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3-1
外形尺寸
封装 TO-262-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPI07N60S5HKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPI07N60S5HKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPI07N60S5HKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-262 N-CH 600V 7.3A | 搜索库存 |
替代型号SPI07N60S5HKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPI07N60S5HKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 600V 7.3A | 当前型号 | TO-262 N-CH 600V 7.3A | 当前型号 |
| 型号： SPU07N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-251 N-Channel 650V 7.3A 790pF | 功能相似 | INFINEON SPU07N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V | SPI07N60S5HKSA1和SPU07N60C3的区别 |