锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SPP80N06S2L-07

SPP80N06S2L-07

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220


Win Source:
OptiMOS Power-Transistor


SPP80N06S2L-07中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 210W Tc

输入电容 4.21 nF

栅电荷 130 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 4210pF @25VVds

下降时间 31 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

SPP80N06S2L-07引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPP80N06S2L-07
型号 制造商 描述 购买
SPP80N06S2L-07 Infineon 英飞凌 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor 搜索库存
替代型号SPP80N06S2L-07
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPP80N06S2L-07

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 4.21nF

当前型号

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

当前型号

型号: IPP80N06S2L-07

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-Channel 55V 80A

功能相似

INFINEON  IPP80N06S2L-07  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 7 mohm, 10 V, 1.6 V

SPP80N06S2L-07和IPP80N06S2L-07的区别

型号: IPP80N06S2L-09

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 55V 80A

功能相似

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SPP80N06S2L-07和IPP80N06S2L-09的区别

型号: IPP120N06NG

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 60V 75A 2.1nF

功能相似

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

SPP80N06S2L-07和IPP120N06NG的区别