锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
SPI08N80C3XKSA1

SPI08N80C3XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  SPI08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO262-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Newark:
# INFINEON  SPI08N80C3XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V


SPI08N80C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 8.00 A

额定功率 104 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.56 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

输入电容 1.10 nF

栅电荷 52.0 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262

外形尺寸

封装 TO-262

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Consumer Electronics, 工业, 消费电子产品, Power Management, Alternative Energy, 照明, Lighting, Industrial, 替代能源

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPI08N80C3XKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPI08N80C3XKSA1
型号 制造商 描述 购买
SPI08N80C3XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPI08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存