STPS30H100CR中文资料参数规格
技术参数
正向电压 800mV @15A
正向电流 30 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 250 A
正向电压Max 930 mV
正向电流Max 30 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 2.7 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.35 mm
封装 TO-262-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
STPS30H100CR引脚图与封装图
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在线购买STPS30H100CR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STPS30H100CR | ST Microelectronics 意法半导体 | 肖特基势垒二极管，30A，STMicroelectronics ### 二极管和整流器，STMicroelectronics | 搜索库存 |
替代型号STPS30H100CR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STPS30H100CR 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-262-3 3Pin | 当前型号 | 肖特基势垒二极管，30A，STMicroelectronics### 二极管和整流器，STMicroelectronics | 当前型号 |
| 型号： VI30100C-E3/4W 品牌： 威世 封装： TO-262AA | 功能相似 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.455 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A | STPS30H100CR和VI30100C-E3/4W的区别 |