SI9936DY
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SI9936DY中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 44.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输入电容Ciss 525pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI9936DY引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI9936DY
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9936DY | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI9936DY
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI9936DY 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 5A 44mohms | 当前型号 | 双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI9936DY_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | SOIC N-CH 30V 5A | SI9936DY和SI9936DY_NL的区别 |